第4章トランジスタの電気的特性 - Kanazawa U

MOSFET I-V - 2 3 VGSVDSIDIS = IDGSDB VSB 0 VSB 0 ID VGS, VDS, ID 3 I-V (I-V characteristics) 4ID-VDS ID-VGS 3 ID-VGS ID-VDS VGSVDSSDGIDVGSVDSSDGID p-ch MOSFET VGS, VDS, ID 5I-V VDSIDVGSVTIDVDSVGSVDS=VGS VT (Sub-threshold) (Threshold voltage) VGS(=VGB) VT 6 MOS Vox SiO2 s Si p Si MOS SiO2 Metal (poly-Si)Si7 (Threshold Voltage) VGS> VT ID n-ch MOSFET VTn p-ch MOSFET VTp p MOS n n MOS p VGS< VT (Sub-threshold) VGS ID VSB VT VGSVDSVGS-VDSVGS8 1.

特性を記述するための変数 3 v gs v ds i d i s = i d g s d b 通常v sb ＝0 または、 v sb ≒0として使用するの で変数から省く。 ゲートには電流が流れない ため電流の変数はi

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