Transcription of 無線通信用GaN HEMTの開発 - sei.co.jp
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無線通信用GaN HEMTの開発 - sei.co.jp
2018 1 SEI 192 69 1. GaN Si GaAs SiC gan hemt 1 Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor 2000 1 1 1 GHz 30 GHz GaAs Si gan hemt
70 無線通信用GaN HEMTの開発 このJohnson性能指標で比較すると、GaNはSiと比較し て27倍、GaAsと比較しても約15倍と圧倒的な優位性を有
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