W Ind P O W Er

Transphrom–氮化镓FET(HEMT)

此电路有几W的损耗掉了 + V OUT D S G L1 C1 D1 + V IN L1 Q1 Q1 CS1 L1 CS2 DS1 C1 D1 LS + + V IN DS2 Efficiency (%) Loss (W) P out (W) 一般测试效率为97-98%较多 一旦换成氮化镓MOSFET，效率达99.2% 损 耗