Example: tourism industry

ISTRUZIONI DI MONTAGGIO FT15 FT15 HI-FI

Disposizione dei componenti. Il circuito in scala 1 : 1 ISTRUZIONI DI MONTAGGIO FT15 FUTURA ELETTRONICA 1 ELENCO COMPONENTIR1:2,2 KohmR2:47 KohmR3:47 KohmR4:3,9 KohmR5:3,9 KohmR6:1 KohmR7:33 KohmR8:12 Kohm 1 WattR9:100 ohmR10:100 ohmR11:47 ohmR12:100 ohmR13:220 ohm trimmer :100 ohmR15:100 ohmR16:100 ohmR17:4,7 ohm 2 Watt(I resistori sono da 1/4 watt 5%salvo diversa indicazione)C1:10 F 50 V elettrolitico :47 pF ceramicoC3:47 F 50 V elettrolitico :6,8 nF ceramicoC5:33 pF ceramicoC6:33 pF ceramicoC7:100 nF 100 V poliestereC8:220 F 50 V elettrolitico :100 nF multistratoC10:220

Disposizione dei componenti. Il circuito è in scala 1 : 1 ISTRUZIONI DI MONTAGGIO FT15

Tags:

  Istruzioni, Montaggio, 15ft, Istruzioni di montaggio ft15 ft15 hi fi, Istruzioni di montaggio ft15

Information

Domain:

Source:

Link to this page:

Please notify us if you found a problem with this document:

Other abuse

Transcription of ISTRUZIONI DI MONTAGGIO FT15 FT15 HI-FI

1 Disposizione dei componenti. Il circuito in scala 1 : 1 ISTRUZIONI DI MONTAGGIO FT15 FUTURA ELETTRONICA 1 ELENCO COMPONENTIR1:2,2 KohmR2:47 KohmR3:47 KohmR4:3,9 KohmR5:3,9 KohmR6:1 KohmR7:33 KohmR8:12 Kohm 1 WattR9:100 ohmR10:100 ohmR11:47 ohmR12:100 ohmR13:220 ohm trimmer :100 ohmR15:100 ohmR16:100 ohmR17:4,7 ohm 2 Watt(I resistori sono da 1/4 watt 5%salvo diversa indicazione)C1:10 F 50 V elettrolitico :47 pF ceramicoC3:47 F 50 V elettrolitico :6,8 nF ceramicoC5:33 pF ceramicoC6:33 pF ceramicoC7:100 nF 100 V poliestereC8:220 F 50 V elettrolitico :100 nF multistratoC10:220 F 50 V elettrolitico :100 nF multistratoD1:1N4002T1:MPSA92T2:MPSA92T3 :MPSA92T4:MPSA42T5:MPSA42T6:2SK1058T7.

2 2SJ162FT15 Modulo mosfModulo mosfet et BF da BF da 100/150 watt100/150 wattHHII--FFIIC ompatto modulo HI-FI a mosfet in gradodi erogare una potenza di 100 watt su 8 ohme di 150 watt su 4 ohm con una tensione dialimentazione duale massima di 50 volt perramo. Il modulo, che utilizza una coppia dimosfet Hitachi, presenta una distorsioneinferiore allo 0,1 per cento ed una bandapassante compresa tra 5 e amplificatore adotta una configurazioneabbastanza usata: lo stadio di ingresso unamplificatore differenziale semplice (senzageneratore di corrente costante) realizzatocon due transistor PNP di tipo MPSA92, ilsuo compito ovviamente amplificare ilsegnale applicato ai punti di ingresso, oltreche esercitare la necessaria retroazione sul-l intero amplificatore.

3 Il differenziale diingresso ha collegato in cascata un secondodifferenziale; come si pu notare i collettoridi T1 e T2 pilotano le basi di T4 e T5, i qualiformano un secondo amplificatore differen-ziale. La configurazione ad amplificatoridifferenziali in cascata assicura un elevatoguadagno in tensione ed una buona stabilit termica del finale. Per pilotare correttamen-te i due mosfet finali abbiamo dovuto con-vertire il segna-le differenziale prelevabile tra i col-lettori di T4 e T5 in un segnale singolo, poi-ch per il corretto funzio-namento in classe AB occorre che i gate deimosfet siano pilotati con segnali aventi lostesso andamento (in fase); la conversione stata effettuata semplicemente prelevando isegnali per i gate di T6 e T7 dal circuito dicollettore di T5.

4 Il collettore di T4 pilotainvece un altro stadio amplificatore, quelloche fa capo al transistor PNP T3, che ha lafunzione prevalente di retroazione in conti-nua ed in presenza di segnale; anche T3 par-tecipa alla polarizzazione del T5 e quindi deigate dei finali. Lo stadio di potenza, formatodai transistor T6 (2SK1058, a canale N) e T7(2SJ162, a canale P) funziona in classe AB;poich , per il tipo di polarizzazione applica-ta, entrambi i finali sono in conduzione ariposo (ovvero senza applicare segnalevariabile in ingresso); questo indispensabi-le per eliminare la distorsione di incrocio.

5 Ilfunzionamento dello stadio di potenza, inpresenza di segnale molto semplice: se ilsegnale sul collettore del T5 aumenta(diventa pi positivo) T7 viene interdettomentre T6 conduce sempre di pi (la suaVgs aumenta); se viceversa il segnale sulcollettore di T5 diminuisce (diventa pi negativo) il T7 conduce sempre pi (perch la sua Vgs, negativa, aumenta di valore)mentre T6 va in interdizione, poich la suaVgs si annulla. Il trimmer R13 e la resisten-za R14, oltre a determinare la caduta di ten-sione che in presenza di segnale pilota imosfet, servono a determinare la differenzadi potenziale a riposo tra le basi dei rete di retroazione formata da R7, R6 eC3.

6 Quest ultimo serve ad impedire che laretroazione abbia effetto in complessivamente lo schemaelettrico dell amplificatore a mosfet FT15 enotandone la struttura a differenziale incascata si pu concludere che l intero cir-cuito sia un potente amplificatore operazio-nale, anche se realizzato a componentidiscreti. La configurazione che abbiamoadottato conferisce al finale una notevoleamplificazione ad anello aperto, salvaguar-dando nel contempo la stabilit sia in pre-senza di segnale che a riposo (punto di lavo-ro del transistor) al variare della temperatu-ra.

7 Il MONTAGGIO del circuito non presentaparticolari difficolt . Conviene iniziare conle resistenze e i diodi, poi montare i transi-stor in TO92 e il trimmer. La bobina L1 varealizzata avvolgendo 15 spire di filo dirame da 1 mm (compreso nel kit) su un dia-metro di 7-8 mm. Montata la bobina si pos-sono saldare i condensatori e infine i mosfetdi potenza che vanno isolati dal dissipatorea L utilizzando i due fogli di silicone ad altaconducibilit termica (non necessario fareuso di pasta termica). Il dissipatore a L non in grado di dissipare tutto il calore prodot-to dai finali pertanto occorre fissarlo ad undissipatore pi grande (interponendo delgrasso al silicone).

8 Il finale per dare la mas-sima potenza di uscita va alimentato conuna tensione duale massima di 50 volt perramo. A tale proposito sono disponibili duekit di alimentazione: FT25K in grado di ali-mentare due moduli FT15 con uscita a 8ohm o un modulo con uscita a 4 ohm,FT32K in grado di alimentare la versione aponte da 250 watt su 8 ohm. E disponibileanche un convertitore DC-DC per utilizzarein auto due moduli di potenza il MONTAGGIO del finale occorreagire sul trimmer R13 per regolare la cor-rente assorbita a riposo che deve esserecompresa tra 30 e 100 mA, in modo daannullare completamente la distorsione TECNICIP otenza di uscita su 8 ohm: 100 wattPotenza di uscita su 4 ohm: 140 wattBanda HzDistorsione armonica totale:0,02 %Rapporto segnale rumore:105 dBSensibilit d ingresso.

9 0,81 V (4 ohm) - 1 V (8 ohm)Tensione di alimentazione:+/- 50 VCorrente massima assorbita:2,5 A (8 ohm) - 3,6 A (4 ohm)Schema ElettricoFUTURA ELETTRONICA 2 ISTRUZIONI DI MONTAGGIO FT15presenza di segnale molto semplice: se ilsegnale sul collettore del T5 aumenta (diven-ta pi positivo) T7 viene interdetto mentreT6 conduce sempre di pi (la sua Vgs divie-ne sempre maggiore); se viceversa il segna-le sul collettore di T5 diminuisce (diventapi negativo) il T7 conduce sempre pi (per-ch la sua Vgs, negativa, aumenta di valore)mentre T6 va in interdizione, poich la suaVgs si annulla.

10 Il trimmer R13 e la resisten-za R14, oltre a determinare la caduta di ten-sione che in presenza di segnale pilota imosfet, servono a determinare la differenzadi potenziale a riposo tra le basi dei finali. Larete di retroazione formata da R7, R6e C3: quest ultimo serve ad impedi-re che la retroazione abbia effetto incontinua. Osservando complessiva-mente lo schema elettrico dell am-plificatore a mosfet FT15 e notando-ne la struttura a differenziale incascata si pu concludere che l inte-ro circuito sia un potente amplifica-tore operazionale, anche se realiz-zato a componenti discreti.