Transcription of 2017 第4回 半導体技術の概要と動向
{{id}} {{{paragraph}}}
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2017 第4回 半導体技術の概要と動向
1) 2) MPU DRAM NAND 3) ITRS ITRS 3D FinFET NAND 3D 3 3 PoP ,TSV 4 H29 II 339 2017 1 MOS (FET) MOS P MOS N MOS N MOS P N N P MOS N MOS N (P)P (B) 2 N N P 1-2nm (SiO2) CMOS MOS: Metal Oxide SemiconductorCMOS: Complementary MOS VDD H VDD) 3 CMOS GNDCLCLHHLLDRAM DRAM MOS 1 1 MOS
mosトランジスタ(fet)の構造 mosﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの基本構造はバイポーラトランジスタに比べてシンプル。p型mosとn型mosがある。 n型mosトランジスタの場合
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