Transcription of 8. ドーピング - rs.tus.ac.jp
{{id}} {{{paragraph}}}
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8. ドーピング - rs.tus.ac.jp
90 8. ( ) Si 1022[ /cm3] 9-nie~10-nine (1/1010~1/1011, 1011~1012[ /cm3]) B( ), P( ), As( ) 1015[ /cm3] Si Si 8-1, 8-2 300 C Si EG( = EC EV) B P, As 8-1 8-2 (a) n ( ) (b) p ( ) 8-3 CMOS Si 8-4 8-3 CMOS 91 IC 8-1 NMOS-FET ( 8-5) ( 8-6) ( 8-7) ( 8-8) 4 8-1 pn IC CMOS IC pn ( ) ( ) ( ) ( ) SIMOX
91 8.2 ウェーハ作製工程における代表的なドーピング･プロセス ic 作製工程ではトランジスタの構造を与える以外にも様々な用途でドーピングが使
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