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碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE

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门极可断晶闸管(gate turn-off thyristor,GTO)器件为 双极型器件,适用于4.5~10kV 以上的高压范围。 2008年Semisouth发布了第一款常关型的SiC JFET 器件,TranSiC 发布了SiC BJT。Infineon 也在2012 年发布了第一款SiC 开关器件产品JFET 器件。随

  Thyristor

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