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1. MOSFETの物性とモデル化の基礎 - Gunma U

1. MOSFET 2014/6/26 MOSFET EDA SPICE Compact Model MOSFET Compact Model BSIM MOSFET BSIM MOSFET SPICE SPICE Y-Matrix EDA LSI UCB Stanford MIT Motorola, NXP, Xerox, TI, LSI STARC- MOSFET HiSIM-HV, HiSIM2 JFETUCB Bulk CMOS SP2000 PSP BSIM6- SOI CMOSBSIMSOI3, 4 DMOS, LDMOSHVMOS, IGBT, SiCJFETHiSIM-HV, HiSIM-IGBT, A-IGBT, A-LDMOS,A-SiC-JFET A-Self-heat* el-PoonEnhanced G-P RPI-TFT (p-Si)UOTFT TFT HP (a-Si) RPI-aTFTAA-TFT (a-Si) UCB Diode GaAs MESFET,HEMTC urticeStatz RootParker Tajima GaAs HBTUCSD, Agilent HBT *6 2 IEEE IMS-RFI

BSIM3，ekv2.0，sp2000 psp－表面電位型 BSIM4，ekv3.0 hisim2－表面電位型 RFマクロモデル bsim6-電荷ベース soi cmos bsimsoi3, 4 dmos, ldmos hvmos, igbt, sicjfet hisim-hv, カスタムマクロモデル hisim-igbt, a-igbt, a-ldmos, a-sic-jfet，a-self-heat* bjt/sigebjt hicum2.1 a …

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パワーMOSFET IGBT: Insulated Gate Bipolar TRS (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ） ・尐数キャリア蓄積効果 ・電流制御デバイス （オン抵抗小、遅延大） ・バイポーラ複合デバイス ・低周波、大電力 ・電圧制御デバイス ・キャリア蓄積なし （高速スイッチング）

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•高温状態で，MOSFETのゲート電圧が負にバ イアスされて起きるので，Pch-MOSFETで発生 •しきい値電圧増加→ドレイン電流，伝達コンダ クタンス低下 •加速条件：温度＝100~250℃，酸化膜電界＝ 6 MV/cm以下 •ゲートに正電圧の場合：P(Positive) BTIであり， Nch ...

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3000 4000 en 200 250 300 350 400 450 500-(V) Drift Region Width (μm) 逆方向ブロッキング電圧とドリフト領域幅の関係 ドリフト領域幅とドーピング濃度との関係 5×1013 cm-3 7×1013 cm-3 3×1013 cm-3 最小値 逆方向ブロッキング電圧: 2000 V 逆方向ブロッキング電圧: 2000 V

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