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2012年2月7日 修士論文発表会 - iwailab.ep.titech ...

研究背景研究背景High-kHigh-k絶縁膜の導入絶縁膜の導入 近年のVLSIのMOSFET微細化に伴い 厚い膜厚でSiO 2と同等の電気容量を 得られるHigh-k絶縁膜 ・リーク電流増加、短チャネル効果の抑制 ・信頼性の向上etc. 更なる低EOT実現の為には SiO

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