碳化矽功率半導體元件細 - edma.org.tw

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細溫 ¤ ê Þ Ð20á Ð1 2014P6a 43 舉例來說，同樣在室溫下， Si 的本徵載子濃度大約是 1×1010 cm-3，但 SiC 只有約1×10-9cm-3。如圖二，當溫

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