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碳化矽功率半導體元件 細 - edma.org.tw
細 溫 ¤ ê Þ Ð20á Ð1 2014P6a 43 舉例來說，同樣在室溫下， Si 的 本徵載子濃度大約是 1×1010 cm-3，但 SiC 只有約1×10-9cm-3。如圖二，當溫
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細膜 氮化鎵功率元件簡介 - edma.org.tw
www.edma.org.tw細膜 32 . ê ¤ H / 20á Ð1 2014P6a Þ Ð 且成本為矽晶圓的百倍以上，尚未具有 商業價值，因此目前較受歡迎的氮化鎵