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深入理解 MOSFET /datasheet - dianyuan.com

MOSFET /datasheet MOSFET MOSFET MOSFET / MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET /datasheet MOSFET /datasheet MOSFET /datasheet PS: 1. /datasheet datasheet 2. MOSFET datasheet IPP60R190C6 datasheet 1. VDS Datasheet V(BR)DSS DS MOSFET . V(BR)DSS 600V MOSFET 600V MOSFET 600V Tj=25 C Tj=25 C MOSFET 600V MOSFET V(BR)DSS datasheet V(BR)DSS Tj (datasheet Table 17) -40 C MOSFET V(BR)DSS <560V 600V MOSFET MOSFET VDS MOSFET V(BR)DSS VDS 2.

5. Ciss, Coss, Crss MOSFET带寄生电容的等效模型 Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=Cgd Ciss, Coss, Crss的容值都是随着VDS电压改变而改变的,如下图: 在LLC 拓扑中,减小死区时间可以提高效率,但过小的死区时间会导致无法实现ZVS。因此

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1 MOSFET /datasheet MOSFET MOSFET MOSFET / MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET /datasheet MOSFET /datasheet MOSFET /datasheet PS: 1. /datasheet datasheet 2. MOSFET datasheet IPP60R190C6 datasheet 1. VDS Datasheet V(BR)DSS DS MOSFET . V(BR)DSS 600V MOSFET 600V MOSFET 600V Tj=25 C Tj=25 C MOSFET 600V MOSFET V(BR)DSS datasheet V(BR)DSS Tj (datasheet Table 17) -40 C MOSFET V(BR)DSS <560V 600V MOSFET MOSFET VDS MOSFET V(BR)DSS VDS 2.

2 ID MOSFET xA, xV 20N60~ Rds(on) ( IPx60R190C6, 190 Rds(on)~). Rds(on) ID Rds(on) ID Rds(on) 1). MOSFET a) --> . b) MOSFET --> MOSFET SO-8 G/D/S c) MOSFET --> Rds(on) d) / --> MOSFET 2). MOSFET Tj_max=150 C MOSFET 70%~90% Tj_max. MOSFET ID Rds(on) : (1) ( ) (2) MOSFET ID (1), (2) ID Rds_on 3. Rds(on) MOSFET Rds(on) Tj Tj Rds(on) Rds(on) MOSFET MOSFET 4. Vgs(th) Vgs(th) ( BSC010NE2LS IPP075N15N3 G datasheet.

3 Vgs(th) MOSFET datasheet MOSFET Vgs(th) 2V MOSFET MOSFET Vgs(th) BSC010NE2LS Vgs(th) ~2V Gate MOSFET MOSFET Vgs(th) 5. Ciss, Coss, Crss MOSFET Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=Cgd Ciss, Coss, Crss VDS LLC ZVS VDS Coss MOSFET LLC ZVS 6. Qg, Qgs, Qgd 1. Qg Qgs+Qgd 2. Vgs Qg Qg 7. SOA SOA 4 1). Rds_on VDS=1V Y ID 2A Rds=VDS/ID= ==>Tj=150 C Rds(on) VDS=10V Y ID 20A Rds=VDS/ID= ==>Tj=150 C Rds(on) SOA Tj_max RDS(on) 2).

4 MOSFET ID_pulse. 3). VBR(DSS) MOSFET VBR(DSS) VBR(DSS) ==> SOA 4). 10us 1 88V, 59A 2 600V, MOSFET SOA MOSFET Tj_max(150 C) Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC . SOA D=0 single pulse 10us 10^-5s ZthJC= *10^-2 1 Tj 25+88*59* *10^-2= C 2 Tj 25+600* * *10^-2= C MOSFET datasheet Tc=25 80 C SOA Tc=25 80 C 25 C 80 C SOA Tc 25 C SOA 100 C 1). 25 C SOA VDS, ID, 1 88V, 59A, tp=10us PD=VDS*ID=88*59=5192 a PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC --> Tc=25 C b a b ZthJC=(Tj_max-25)/PD= 2).

5 Tp SOA ZthJC Tc=100 C ZthJC= 3). 1 88V Tc=100 C PD=(Tj_max-100)/ZthJC=2083 I=PD/VDS=2083/88= 4). 600V Tc=100 C 5). 10us SOA tp SOA SOA Tc=100 C ** ZthJC tp D ZthJC/ 1. D ZthJC 2. tp<10us 1). D ZthJC SthJC(t) single pulse 2). tp<10us (tp 10us~1s) 8. Avalanche EAS EAR IAR VDS,ID MOSFET VDS VDS MOSFET MOSFET MOSFET P+Body RB RB VBE 0 RB VBE VBE MOSFET MOSFET MOSFET 1.

6 ==>IAR 2. MOSFET Tj_max ==>EAS EAR 1 EAS VDS,ID EAS VBR= , L EAS datasheet EAS datasheet <IAR EAS 2 EAR VBR= EAR datasheet EAR datasheet <IAR 9. VSD ==> trr ==> Qrr ==>Qrr MOSFET trr 10. MOSFET MOSFET MOSFET 1). MOSFET MOSFET MOSFET (BVDSS) 600V 650V QR MOSFET MOSFET 800V MOSFET 2). PFC a) PFC MOSFET VDS MOSFET 500V, 600V b) MOSFET MOSFET Qg MOSFET Qg MOSFET 3).

7 LLC LLC MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET trr Qrr MOSFET 4). Oring MOSFET MOSFET MOS Rds(on)


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