Search results with tag "Sic mosfet"
Performance and Ruggedness of 1200V SiC - Trench - …
www.broeselsworld.deof the newly developed SiC Trench-MOSFET combining all these achievements. II. DEVICE CONCEPT A. Challenges compared to silicon-based MOSFETs Si and SiC both have a thermal oxide which is at a first glance the common way to create an almost ideal MOS interface. But there are some well-known challenges to making a SiC MOSFET.
空調機用モータ・インバータの最新技術
www.giho.mitsubishielectric.co.jp回路にsic－ダイオード及びsic－mosfetを適用して，エ アコンの電力損失を低減してきた。今回，業界で初めて（注1） 店舗・事務所向けの業務用パッケージエアコンの圧縮機 モータ駆動用インバータにsic －mosfetを搭載したフ ルsic－dipipmを採用した（図6）。
Cree CMF20102D SiC MOSFET - Farnell element14
www.farnell.com1 15451 1215 Six Channel SiC MOSFET Driver Gate Driver for 1200V SiC MOSFET Power Module Features 6 output channels Isolated power supply
VDS C3M0032120K I D R 32 mΩ
assets.wolfspeed.com1 C3M0032120K Rev. - 06-2019 C3M0032120K Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • 3rd generation SiC MOSFET technology • Optimized package with separate driver source pin • 8mm of creepage distance between drain and source • High blocking voltage with low on-resistance • High-speed …
Totem-pole PFC reference design with SiC technology
www.st.comSilicon carbide MOSFET 650 V, 45 A TN3050H-12WY SCR Thyristor 30A 1200V 1200V 600V 600V 1200V STM32F334 VIPer26LD 97.5 % efficiency at full load Key Products: SCTW35N65G2V (SiC MOSFET) TN3050H-12GY (SCR Thyristor) STGAP2AS (Galvanic insulated gate driver) STM32F334 (32-bit MCU) VIPer26LD (converter for aux. PS)
窒化物半導体の特徴とデバイス展開
www.rciqe.hokudai.ac.jpサファイア, Si, SiC AlGaN 2次元電子層 i-GaN AlGaN GaN S G D HEMT: High Electron Mobility Transistor 1 x 1013 1 x 1012 キャリア密度 (cm-2) SiC MOSFET 2000 GaN HEMT 100-500 チャネル移動度 (cm2/Vs) 基板がない －> 基板を選ばない ½
© No. 60AP001E Rev.0012017 ROHM Co., Ltd. Application …
fscdn.rohm.com近年、sic mosfet は、様々な電源アプリケーションや電力ラインのスイッチング素子として急激に使用が加速しています。 これは従来のパワー 半導体と比較して高速スイッチング動作が可能となったことがひとつの要因となっていますが、スイッチング時の ...
SiC MOSFET Benefits - STMicroelectronics
www.st.comSiC MOSFET 0.52 1.6 1.8 500 / 450* 350 / 400 +15% from 25°C to 150°C IGBT 1.00 1.95 2.2 800 / 1300** 800/ 1900 +140% from 25°C to 150°C * Including SiC intrinsic body diode Q rr ** Including the Si IGBT copack diode Q rr SiC die size compared to IGBT • Data measured on SiC MOSFET engineering samples; • SiC MOSFET device : SCT30N120 ...