Example: bachelor of science
第7回半導体工学 20171120 - 名古屋大学
接合型(jfet) sd g g n ゲートに逆バイアスをかける。 →空乏層が拡がる。 jfetの動作原理 電子の流れを空乏層 幅で調整 空乏層 チャネルと呼ぶ p p 35/80
Tags:
Information
Domain:
Source:
Link to this page:
接合型(jfet) sd g g n ゲートに逆バイアスをかける。 →空乏層が拡がる。 jfetの動作原理 電子の流れを空乏層 幅で調整 空乏層 チャネルと呼ぶ p p 35/80
Domain:
Source:
Link to this page: