Search results with tag "Gan hemt"
先端GaN-HEMTデバイス技術 - fujitsu.com
www.fujitsu.com先端GaN-HEMTデバイス技術 GaN-HEMT Technology for Future Applications あらまし 富士通研究所は，モバイルWiMAX （Worldwide Interoperability for Microwave
無線通信用GaN HEMTの開発 - sei.co.jp
www.sei.co.jp70 無線通信用GaN HEMTの開発 このJohnson性能指標で比較すると、GaNはSiと比較し て27倍、GaAsと比較しても約15倍と圧倒的な優位性を有
An X-Band 300-Watt Class High Power GaN HEMT Amplifier …
global-sei.com42 · An X-band 300-W Class High Power GaN HEMT Amplifier for Radar Applications 4. Matching Circuit Design Figure 5 shows the top view of the developed device. The unit gate width and gate periphery are 150 µm and 14.4 mm, respectively.
HEMT - Fujitsu
www.fujitsu.comGaN HEMT I ds V ds 0 0 ドレイン電圧 V ds （ V ） ドレイン電流 I ds （ A ） （b）GaN HEMTとSJ Si MOSFETのパルス応答特性 スイッチング損失 スイッチング損失 表-2 スイッチング特性比較 GaN HEMT Si MOSFET オン時間（ns） 7.0 41.5 オフ時間（ns） 7.5 30.5 オン損失（µJ） 5.6 45.4 ...
GaN AlGaN 欠陥準位 表面準位 - astf.or.jp
www.astf.or.jpGaN group H o k k a id o U n v e r s i t y 3 Meneghesso et al, ED, 2006 After 150-h off-state stress Before stress Onuma, Chichibu, JAP, 2004 AlGaN/GaN HEMT 劣化 AlGaN結晶 PL/CL ì Á Ú ý Ë
GaN HEMTを用いた携帯電話基地局向け 広帯域・高出力・高 …
sei.co.jp（GaN HEMT※1： Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）の研究および開発を2000年から進め、2006 ... power wideband asymmetric Doherty amplifier using the devices are also described. The transistor has a pair of 180 W GaN dies. The internal matching circuit is designed with a high-dielectric substrate so that it can ...
GaN Device for Highly Efficient Power Amplifiers - fujitsu.com
www.fujitsu.comfujitsu. 62, 4（ 07, 2011） 409 高効率電力増幅用ganデバイス gan-hemtの開発技術 前章の課題を解決するために今回開発したトラ ンジスタ構造を図-2（b）に示す。