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2. 最先端FinFETプロセス・集積化技術
要である．また平面形MOSFETと同様にソース・ドレー ン部にSiGe，SiC等を用いることでチャネル部に応力 を印加できて，キャリヤ移動度を改善できる可能性も示 唆されている（）．一方，低抵抗金属のソース・ドレーン
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