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2019 半導体技術の概要と動向 - Gunma U
浮遊ゲート内に蓄積される電子数は約3,000個（20nm世代） 書込み 消去 ゲートとドレイン電極に 高電を印加すると、ソース内 の電子がドレイン電で加速され ホットエレクトロンとなる。 この内の一部電子が薄い絶縁膜 をすり抜け（トンネル効果）
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