MOSトランジスタの信頼性モデリング

•高温状態で，MOSFETのゲート電圧が負にバイアスされて起きるので，Pch-MOSFETで発生 •しきい値電圧増加→ドレイン電流，伝達コンダクタンス低下 •加速条件：温度＝100~250℃，酸化膜電界＝ 6 MV/cm以下 •ゲートに正電圧の場合：P(Positive) BTIであり， Nch ...

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