スィッチング電源の基礎と応用 - Gunma U

パワーMOSFET IGBT: Insulated Gate Bipolar TRS (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）・尐数キャリア蓄積効果・電流制御デバイス（オン抵抗小、遅延大）・バイポーラ複合デバイス・低周波、大電力・電圧制御デバイス・キャリア蓄積なし（高速スイッチング）

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